2022年度杭州电子科技大学教育发展基金会 “先灿”基金赴国外或者港澳台留(访)学资助替补名额选拔通知-杭州电子科技大学教育发展基金会

2022年度杭州电子科技大学教育发展基金会 “先灿”基金赴国外或者港澳台留(访)学资助替补名额选拔通知

发布日期：2023-02-14

2022年11月28日，杭州电子科技大学教育发展基金会“先灿”基金经过公开报名、面试、评选、公示等环节，确定2022年度留(访)学资助对象三人。其中一人因个人原因放弃资助，故2022年度基金资助名额空缺一名。根据《杭州电子科技大学教育发展基金会“先灿”基金赴国外或者港澳台高等院校留(访)学资助评选办法》，经基金管理委员会商讨决定补足2022年度名额，重新选拔一人予以资助。通知如下：

一、选拔条件

（1）获国外或者港澳台高等院校（学术机构）正式录取攻读博士学位通知，或者从事博士后研究、访问学者研究的录用（或者接收函）通知。被资助对象可以是本校（杭州电子科技大学）师生，也可以是外校（外单位）师生。

（2）原则上为电子、计算机、通信、自动控制和数学专业，适当倾斜（优先）如下人员：

*核心深造专业方向为微电子集成电路领域；

*被资助者已经具有海外本科或者硕士学历；

*被资助者有明显特长(或者成就)而且得到审核小组人员的认可。

（3）不论被资助对象是来自杭电还是杭电之外的师生，均需要签署书面服务协议，承诺返回后在国家重点实验室（筹）、微电子研究院（或者学校认可的其他部门）从事微电子集成电路方面教学、科研不少于三年；毁约不实践服务协议的，需在毁约的3个月内归还资助经费。

二、资助标准及期限

每人每年一般资助人民币12万元（税前），英美德日等四国每年资助人民币15万元（税前）。特殊情况，如需提高资助金额，可以提交由评审委员会批准执行。

资助期限不超过正常学习访问交流期限，如确须延长资助期限的须报微电子研究院审批。

三、申请办法

（1）个人直接申请；